專注于工業(yè)CT檢測(cè)\失效分析\材料檢測(cè)分析的第三方實(shí)驗(yàn)室
公正高效 \ 精準(zhǔn)可靠 \ 費(fèi)用合理
| 金屬材料及零部件失效分析 | 電子元器件失效分析 | |
| 涂/鍍層失效分析 |
電子元器件失效分析
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廣東省華南檢測(cè)技術(shù)有限公司針對(duì)電阻、電容、二極管、三極管、LED、連接器、IC等器件開(kāi)路、短路、燒毀、漏電、功能失效、電參數(shù)不合格、非穩(wěn)定失效等各種失效問(wèn)題，利用物理和化學(xué)的分析手段，從宏觀和微觀分析出失效原因，并為客戶提出改善方向。
電子元器件主要失效模式（但不限于）
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開(kāi)路、短路、燒毀、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。
國(guó)家認(rèn)可資質(zhì)背書(shū)
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華南檢測(cè)專注電子元器件失效分析與故障歸零領(lǐng)域十余年，擁有國(guó)家認(rèn)可CNAS/CMA認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室，匯聚擁有10+年經(jīng)驗(yàn)專家團(tuán)隊(duì)，累計(jì)完成超1000+案例。依托高精度檢測(cè)設(shè)備與全流程技術(shù)方案，精準(zhǔn)定位失效根源，助力企業(yè)快速止損，保障產(chǎn)品可靠性！
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CNAS/CMA雙認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室，報(bào)告全國(guó)認(rèn)可，助您提升品牌口碑
出具權(quán)威檢測(cè)報(bào)告，明確責(zé)任歸屬，減少糾紛成本。 |
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72小時(shí)完成檢測(cè)，加急服務(wù)至快24小時(shí)出具初報(bào)告
48小時(shí)內(nèi)定位失效點(diǎn)，提供根因報(bào)告+改進(jìn)方案，快速止損。 |
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10+年經(jīng)驗(yàn)工程師團(tuán)隊(duì)，配備SEM/EDS/X-Ray等千萬(wàn)高端設(shè)備，準(zhǔn)確率99%
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檢測(cè)項(xiàng)目
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●形貌分析：體視顯微鏡、?相顯微鏡、X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束；
●成分檢測(cè)：X 射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質(zhì)譜SIMS、光譜、色譜、質(zhì)譜；
●電分析：I-V曲線、半導(dǎo)體參數(shù)、LCR 參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機(jī)械探針、絕緣耐壓、繼電器特性；
●開(kāi)封制樣：化學(xué)開(kāi)封、機(jī)械開(kāi)封、等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、化學(xué)腐蝕、切片、IC 取芯片、芯片去層、襯底檢查、掃描電鏡檢查、DB FIB；
●缺陷定位：液晶熱點(diǎn)、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH、 PN 結(jié)染?、熱點(diǎn)檢測(cè)、漏電位置檢測(cè)、彈坑檢測(cè)。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
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●GJB33A-1997半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范
●GJB65B-1999有可靠性指標(biāo)的電磁繼電器總規(guī)范
●GJB450A裝備可靠性工作通用要求
●GJB536B-2011電子元器件質(zhì)量保證大綱
●GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序
●GJB597A-1996半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范
●GJB841故障報(bào)告、分析和糾正系統(tǒng)
●QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
失效分析流程
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（1）失效背景調(diào)查：產(chǎn)品失效現(xiàn)象？失效環(huán)境？失效階段（設(shè)計(jì)調(diào)試、中試、早期失效、中期失效等等）？失效比例？失效歷史數(shù)據(jù)？
（2）非破壞分析：X射線透視檢查、超聲掃描檢查、電性能測(cè)試、形貌檢查、局部成分分析等。
（3）破壞性分析：開(kāi)封檢查、剖面分析、探針測(cè)試、聚焦離子束分析、熱性能測(cè)試、體成分測(cè)試、機(jī)械性能測(cè)試等。
（4）使用條件分析：結(jié)構(gòu)分析、力學(xué)分析、熱學(xué)分析、環(huán)境條件、約束條件等綜合分析。
（5）模擬驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)：根據(jù)分析所得失效機(jī)理設(shè)計(jì)模擬實(shí)驗(yàn)，對(duì)失效機(jī)理進(jìn)行驗(yàn)證。
注：失效發(fā)生時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)和樣品務(wù)必進(jìn)行細(xì)致保護(hù)，避免力、熱、電等方面因素的二次傷害。
測(cè)試須知——————————————————————————————————————————————————————————— 1、產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)及工藝特點(diǎn)【外引線排列圖、內(nèi)部線路原理圖】
2、樣品的主要參數(shù)指標(biāo)【產(chǎn)品輸入、輸出關(guān)鍵參數(shù)】
3、NG 樣品至少2pcs (未取下的PCBA 狀態(tài))，OK樣品1pcs,并需附帶測(cè)試時(shí)需要的連接器或配套組件(復(fù)現(xiàn)及電測(cè)需要);
4、失效信息收集：【失效現(xiàn)象、失效環(huán)境、異常電條件、失效階段（設(shè)計(jì)調(diào)試、中試、早期失效、中期失效等等）、失效比例、失效歷史數(shù)據(jù)、操作因素等】
元器件失效分析流程———————————————————————————————————————————————————————————
元器件失效分析常用檢測(cè)項(xiàng)目——————————————————————————————————————————————————————————
1、外觀檢測(cè)
2、壓降檢測(cè)
3、X-RAY檢測(cè)
4、超聲波掃描
5、芯片開(kāi)封
6、掃描電子顯微鏡檢測(cè)
7、電性能測(cè)試
8、FTIR紅外光譜分析
9、熱點(diǎn)定位和FIB制樣技術(shù)
分析過(guò)的電子元器件種類
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1、電阻器、電容器、電感器、連接器、繼電器、變壓等原件，
2、二極管、三極管、MOS、可控硅、橋堆、IGBT等半導(dǎo)體分立器件，
3、各種規(guī)模、各種封裝形式的集成電路，
4、射頻、微波器件，電源模塊、光電模塊等各種元器件和模塊
5、集成電路、場(chǎng)效應(yīng)管、二極管、發(fā)光二極管、三極管、晶閘管、電阻、電容、電感、繼電器、連接器、光耦、晶振等各種有源/無(wú)源器件
